[发明专利]形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法及CIGS太阳能电池

摘要

本发明涉及一种用于形成CIGS光吸收层的方法，其可以在衬底的Na浓度低，由此CIGS光吸收层的耗尽层厚的情况下，提高太阳能电池的效率。本发明的方法通过三步真空共蒸发法形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层，并包括：同时真空蒸发In、Ga和Se的第一步骤；同时真空蒸发Cu和Se的第二步骤；和真空蒸发In、Ga和Se的第三步骤。在第一步骤中蒸发并供应的Ga的量大于在第三步骤中蒸发并供应的Ga的量。根据本发明的另一方面的CIGS太阳能电池包括：衬底；在衬底上形成的电极层；和在电极层上形成的CIGS光吸收层。在电极层和CIGS光吸收层的界面处的Ga/(In+Ga)的比率为0.45或更高。本发明的方法配置为使得在通过三步真空共蒸发法形成CIGS光吸收层的方法中，提高第一步骤中Ga的蒸发量，使得能够在Na浓度低的衬底上形成CIGS光吸收层，从而提高深度深的耗尽层的CIGS太阳能电池的效率。

主权项

一种利用三步共蒸发法形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法，所述方法包括如下步骤：共蒸发In、Ga和Se以使其沉积的第一步骤；共蒸发Cu和Se以使其沉积的第二步骤；和共蒸发In、Ga和Se以使其沉积的第三步骤；其中，在所述第一步骤中通过蒸发供应的Ga的量大于在所述第三步骤中通过蒸发供应的Ga的量。