[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

质子注入(16)之后，通过炉退火处理形成氢致施主，从而形成n型电场终止层(3)，进一步通过激光退火处理减少生成于质子通过区域(14)的无序，从而形成n型无序减少区域(18)。如此，本发明能够提供形成基于质子注入(16)的n型电场终止层(3)和n型无序减少区域(18)，导通电阻低且能够改善漏电流等电特性的稳定、低廉的半导体装置及其制造方法。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：p导电型的基底层，设置于成为n导电型的漂移层的半导体基板的第一主面的表面层，浓度比该漂移层高；n导电型的发射层，设置于所述基底层的内部，浓度比该基底层高；栅极绝缘膜，以与所述基底层、所述发射层以及所述漂移层相接的方式设置，栅电极，在所述栅极绝缘膜的表面以与所述基底层、所述发射层以及所述漂移层对置的方式设置；发射电极，设置于所述发射层和所述基底层的表面，通过层间绝缘膜与所述栅电极绝缘；和p导电型的集电极层，设置于所述半导体基板的第二主面的表面，在所述漂移层与所述集电极层之间，至少具有一个n导电型的中间层，所述n导电型的中间层将浓度比所述漂移层高的n导电型的电场终止层与浓度比该电场终止层低的n导电型的无序减少区域这两层作为一对，所述无序减少区域中的载流子迁移率的最小值为结晶状态的该载流子迁移率的20％以上。