[发明专利]基于CMOS的RF天线开关有效

专利信息
申请号: 201380004622.5 申请日: 2013-09-25
公开(公告)号: CN104160553B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: A·莫斯托夫;Y·哈森 申请(专利权)人: DSP集团有限公司
主分类号: H01Q1/52 分类号: H01Q1/52;H01Q1/24;H01Q3/01
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 杨晓光,于静
地址: 以色列赫*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种新颖的和有用的射频(RF)前端模块(FEM)电路,其提供高线性度和功率效率并符合现代无线通信标准(诸如802.11WLAN、3G和4G蜂窝标准、蓝牙,ZigBee等)的要求。所述FEM电路的配置允许使用常见的、相对低成本的半导体制造技术,如标准CMOS工艺。所述FEM电路包括含有一个或多个子放大器的功率放大器,所述子放大器具有高和低功率电路并且其输出被合成以产生总的所需的功率增益。具有被布置为新颖配置的初级和次级绕组的集成多抽头变压器提供高效的功率合成并将由各子放大器生成的功率传输到天线。
搜索关键词: 基于 cmos rf 天线 开关
【主权项】:
一种半导体天线开关,包括:第一天线端口,其用于耦合到第一天线;第二天线端口,其用于耦合到第二天线;发送/接收端口,其用于耦合到所述第一天线或所述第二天线、以及耦合到功率放大器电路和低噪声放大器中的任一个;匹配网络,其耦合到所述发送/接收端口;第一开关,其在所述第一天线端口和所述匹配网络之间串联耦合;以及第二开关,其在所述第二天线端口和所述匹配网络之间串联耦合,其中所述第一开关呈现导通,并且所述第二开关呈现不导通,从而将所述第一天线端口耦合到所述发送/接收端口,或者其中所述第一开关呈现不导通,并且所述第二开关呈现导通,从而将所述第二天线端口耦合到所述发送/接收端口。
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