[发明专利]厚的片上高性能布线结构有效
| 申请号： | 201380004855.5 | 申请日： | 2013-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN104040684A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | E·C·库尼;J·P·甘比诺;何忠祥;T·C·李;刘小虎 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于制造后段制程(BEOL)布线结构的方法、BEOL布线结构(10)、以及用于BEOL布线结构的设计结构。可以通过在电介质层(18)中形成第一接线(44、45)并且在无氧环境中对第一接线退火而制造BEOL布线。在对第一接线退火之后，形成与第一接线竖直对准的第二接线(60、61)。形成包括诸如聚酰亚胺的有机材料的最终钝化层(74)，其覆盖第二接线的整个侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 片上高 性能 布线 结构 | ||
【主权项】：
一种制造后段制程布线结构的方法，所述方法包括：在第一电介质层中形成第一接线；在无氧环境中对所述第一接线退火；在对所述第一接线退火之后，形成与所述第一接线对准的第二接线；以及形成包括有机材料的最终钝化层，所述最终钝化层覆盖所述第二接线的整个侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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