[发明专利]拉曼散射光增强设备、拉曼散射光增强设备的制造方法、和使用拉曼散射光增强设备的拉曼激光光源有效
| 申请号： | 201380005075.2 | 申请日： | 2013-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN104040419A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 高桥和;乾善贵;浅野卓;野田进;千原贤大 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | G02F1/365 | 分类号： | G02F1/365 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种拉曼散射光增强设备。在半导体基板中形成有空孔(20a)的光子结晶(20)中，相对于入射光具备以多个频率具有共振模式的波导，一个共振模式与另一个共振模式的频率差变成与所述半导体基板的拉曼位移频率相等，并且设定所述半导体基板的结晶方位面中的所述波导的形成方向，以使得通过所述两个共振模式的电磁场分布和所述半导体基板的拉曼张量来表达的拉曼跃迁概率成为最大。 | ||
| 搜索关键词： | 散射 增强 设备 制造 方法 使用 激光 光源 | ||
【主权项】：
一种拉曼散射光增强设备，在半导体基板中形成有空孔的光子结晶中具有波导，该波导相对于入射光以多个频率具有共振模式，一个共振模式与另一个共振模式的频率差变成与所述半导体基板的拉曼位移频率相等，并且设定所述半导体基板的结晶方位面中的所述波导的形成方向，以使得由所述两个共振模式的电磁场分布和所述半导体基板的拉曼张量来表达的拉曼跃迁概率成为最大。
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