[发明专利]热氧化异种复合基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201380005209.0 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN104040686B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 秋山昌次;飞坂优二;永田和寿 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及热氧化异种复合基板，是在处理基板上具有单晶硅膜的异种复合基板，通过在实施超过850℃的热氧化处理前施加650℃～850℃的中间热处理，然后在超过了850℃的温度下实施热氧化处理而得到，根据本发明，能够得到热氧化后的缺陷数减少的热氧化异种复合基板。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 复合 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
热氧化异种复合基板，是对在厚度500～800μm的处理基板上贴合了厚度50～500nm的单晶硅膜的异种复合基板进行热氧化处理而于单晶硅膜形成有热氧化膜的热氧化异种复合基板，在对所述异种复合基板进行热氧化处理的情形下，通过在实施超过850℃的热氧化处理前施加650℃～850℃、0.5小时以上6小时以下的中间热处理，然后在超过850℃的温度下实施热氧化处理而得到所述热氧化异种复合基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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