[发明专利]富含硅的抗反射涂层材料及其制备方法

摘要

本发明提供了一种用于光刻法中的抗反射涂层(ARC)配方，所述配方包含分散于溶剂中的富含硅的聚硅烷硅氧烷树脂，以及具有涂覆有所述ARC配方的表面的基材和一种将所述ARC配方施加至所述表面以形成ARC层的方法。所述聚硅烷硅氧烷树脂包含由(R’)₂SiO₂的结构单元定义的第一组分；由(R”)SiO₃的结构单元定义的第二组分以及由(R”’)_q+2Si₂O_4-q的结构单元定义的第三组分。在这些聚硅烷硅氧烷树脂中，所述R’、R”和R”’独立地选择为烃或氢(H)；并且所述下标q为1或2。作为另外一种选择，所述R’、R”和R”’独立地选择为甲基(Me)或氢(H)。通常，所述第一组分以x的摩尔比存在，所述第二组分以y的摩尔比存在，并且所述第三组分以z的摩尔比存在，使得(x+y+z)＝1、x<y并且x<z。所述聚硅烷硅氧烷树脂具有大于或等于约42重量％的硅含量。

主权项

一种抗反射涂层(ARC)配方，所述ARC配方包含聚硅烷硅氧烷树脂和溶剂；所述聚硅烷硅氧烷树脂包含：由(R’)₂SiO₂的结构单元定义的第一组分；由(R”)SiO₃的结构单元定义的第二组分以及由(R”’)_q+2Si₂O_4‑q的结构单元定义的第三组分其中R’、R”和R”’独立地选择为烃或氢(H)；并且下标q为1或2。