[发明专利]发光二极管芯片

摘要

一种发光二极管芯片，包括：‑具有多个有源区(2)的半导体本体(1)，其中，‑有源区(2)中至少之一具有至少两个子区域(21···28)，‑有源区(2)具有布置在所述至少两个子区域(21····28)中的两个相邻子区域(21···28)之间的至少一个阻挡区(3)，‑至少两个子区域(21····28)在发光二极管芯片的工作期间发射颜色互不相同的光，‑在子区域(21····28)的至少之一中光的发射通过电产生，并且，‑将阻挡区(3)配置成阻碍两个相邻子区域(21····28)之间的电荷载流子的热活化再分布。

主权项

一种发光二极管芯片，包括：‑具有多个有源区(2)的半导体本体(1)，其中，‑所述有源区(2)中至少之一具有至少两个子区域(21···28)，‑所述至少两个子区域(21···28)在所述发光二极管芯片的工作期间发射颜色互不相同的光，‑在所述子区域(21···28)的至少之一中所述光的发射通过电产生，‑所述有源区(2)具有主延伸方向(R)，‑将所述子区域(21···28)沿着所述子区域(21···28)的所述有源区(2)的所述主延伸方向(R)布置并且在每对相邻子区域(21···28)之间仅布置一个阻挡区(3)，‑所述阻挡区(3)配置成阻碍所述两个相邻子区域(21···28)之间的电荷载流子的热活化再分布，‑所述有源区(2)中的至少一些在相对于所述主延伸方向(R)处于侧向的方向(L)上彼此隔开，或者所述有源区(2)中的至少一些在所述侧向方向上彼此部分地接触，‑所述有源区(2)为纳米结构并且所述有源区(2)中至少之一的最大直径为1000nm并且纵横比为至少3，‑各个子区域(21···28)均基于包含铟的氮化物化合物半导体材料，该包含铟的氮化物化合物半导体材料基于(Al,In,Ga)N的半导体材料，‑各个阻挡区(3)均基于与邻接所述阻挡区(3)的所述子区域(21···28)相比具有更大带隙的至少一种氮化物化合物半导体材料，‑各个阻挡区(3)均基于GaN或AlInGaN或InGaN，以及‑各个阻挡区(3)在所述有源区的所述主延伸方向上比各个子区域(21···28)更薄。