[发明专利]含有具有杂环的共聚树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物

摘要

本发明提供用于形成兼有干蚀刻耐性、耐热性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。因而提供了含有具有下式(1)所表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物，优选式(1)中的R3为氢原子，n1和n2都是0。提供给了含有下述工序的半导体装置的制造方法在半导体基板上使用本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成下层膜的工序、在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序、通过光或电子束的照射和显影而形成抗蚀剂图案的工序、通过该抗蚀剂图案而蚀刻硬掩模的工序、通过图案化了的硬掩模而蚀刻该下层膜的工序、和通过图案化了的下层膜而加工半导体基板的工序。

主权项

一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有交联剂和具有下式(1)所示结构单元的聚合物，式(1)中，R1和R2都是芳香环上氢原子的取代基，彼此独立地表示卤素基、硝基、氨基、羧酸基、羟基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的脂肪族烯基、碳原子数6～40的芳基、带醚键的有机基团、带酮键的有机基团、带酯键的有机基团、或它们组合而成的基团，R3是氢原子、或碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的脂肪族烯基、碳原子数6～40的芳基、带醚键的有机基团、带酮键的有机基团、带酯键的有机基团、或它们组合而成的基团，R4是碳原子数6～40的芳基或杂环基，并且该芳基和该杂环基分别可以被卤素基、硝基、氨基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数6～40的芳基、醛基、羧基、羧酸酯基、或羟基取代，R5是氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基、或杂环基，并且该烷基、该芳基、和该杂环基分别可以被卤素基、硝基、氨基、或羟基取代，而且，R4和R5还可以与它们所结合的碳原子一起形成环，X是O原子、S原子、CH2基、C＝O基、CH＝CH基、或CH2‑CH2基，n1和n2分别表示0～3的整数，m1和m2分别表示0～3的整数。