[发明专利]高纯度铜锰合金溅射靶有效

专利信息
申请号: 201380006379.0 申请日: 2013-01-04
公开(公告)号: CN104066868A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 长田健一;大月富男;冈部岳夫;牧野修仁;福岛笃志 申请(专利权)人: 吉坤日矿日石金属株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;H01L21/285
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种高纯度铜锰合金溅射靶,其含有0.05~20重量%的Mn,除添加元素以外,其余部分为Cu和不可避免的杂质,该靶的特征在于,含有0.001~0.06重量ppm的P和0.005~5重量ppm的S,并且,还含有Ca和Si,且P、S、Ca、Si的合计量为0.01~20重量ppm。通过这样在铜中含有适当量的Mn元素和Ca、P、Si、S,能够改善在制作靶的阶段中所需要的切削性,使靶的制作(加工性)变得容易,并且能够改善靶表面的光滑性,且能够抑制溅射时产生粉粒。特别是提供对于提高微细化、高集成化发达的半导体制品的成品率和可靠性有用的高纯度铜锰合金溅射靶。
搜索关键词: 纯度 合金 溅射
【主权项】:
一种高纯度铜锰合金溅射靶,其含有0.05~20重量%的Mn,除添加元素以外,其余部分为Cu和不可避免的杂质,该靶的特征在于,含有0.001~0.06重量ppm的P和0.005~5重量ppm的S,并且,还含有Ca和Si,且P、S、Ca、Si的合计量为0.01~20重量ppm。
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