[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201380006396.4 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104067377A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛;天野伸治;冈部好文;志贺智英 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括：施加步骤，向半导体衬底(11)的表面(11a)施加粒子射线和辐射射线的至少之一，在半导体衬底上邻近于所述表面(11a)处形成包括栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)的晶体管；以及退火处理步骤，在施加步骤之后，加热所述半导体衬底(11)从而恢复包含在所述栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)中的晶体缺陷。此外，制造方法包括预退火处理步骤，用于在施加步骤前将包含在栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)中的氢分子和水分子的含量减小到预定浓度。在由这个方法制造的半导体器件中，将存在于栅极绝缘膜(21)中的热稳定缺陷的浓度减小到预定浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：元件形成步骤，所述元件形成步骤在与半导体衬底(11)的表面(11a)邻近处形成包括晶体管的元件，所述晶体管具有栅极绝缘膜(21)和栅极电极(22)；施加步骤，所述施加步骤从与所述表面(11a)邻近的一侧向所述半导体衬底(11)施加粒子射线和辐射射线的至少之一，所述施加步骤在所述元件形成步骤之后；退火处理步骤，所述退火处理步骤加热所述半导体衬底(11)，从而恢复包含在所述栅极绝缘膜(21)和所述栅极电极(22)中的晶体缺陷，所述退火处理步骤在所述施加步骤之后，所述制造方法的特征在于，包括：预退火处理步骤，所述预退火处理步骤加热所述半导体衬底(11)，从而减小包含在所述栅极绝缘膜(21)和所述栅极电极(22)中的氢分子和水分子的含量，所述预退火处理步骤在所述施加步骤之前。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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