[发明专利]电容式微机械换能器及制造所述电容式微机械换能器的方法有效

专利信息
申请号: 201380006576.2 申请日: 2013-01-18
公开(公告)号: CN104066521B 公开(公告)日: 2017-07-11
发明(设计)人: P·迪克森;R·毛奇斯措克;K·卡拉卡亚;J·H·克鲁特威克;B·马赛利斯;M·米尔德 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: B06B1/02 分类号: B06B1/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 李光颖,王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种制造电容式微机械换能器(100)特别是CMUT的方法,所述方法包括在基底(1)上沉积第一电极层(10);在所述第一电极层(10)上沉积第一介电薄膜(20);在所述第一介电薄膜(20)上沉积牺牲层(30),所述牺牲层(30)是可移除的,以形成所述换能器的空腔(35);在所述牺牲层(30)上沉积第二介电薄膜(40);并且,在所述第二介电薄膜(40)上沉积第二电极层(50),其中,所述第一介电薄膜(20)和/或所述第二介电薄膜(40)包括包括氧化物的第一层、包括高k材料的第二层以及包括氧化物的第三层,并且其中,通过原子层沉积来执行所述沉积步骤。本发明还涉及一种通过这样的方法来制造的电容式微机械换能器(100),特别是CMUT。
搜索关键词: 电容 式微 机械 换能器 制造 方法
【主权项】:
一种制造电容式微机械换能器(100)的方法,所述方法包括:‑在基底(1)上沉积第一电极层(10),‑在所述第一电极层(10)上沉积第一介电薄膜(20),‑在所述第一介电薄膜(20)上沉积牺牲层(30),所述牺牲层(30)是能够移除的,以形成所述换能器的空腔(35),‑在所述牺牲层(30)上沉积第二介电薄膜(40),并且‑在所述第二介电薄膜(40)上沉积第二电极层(50),其中,所述第一介电薄膜(20)和/或所述第二介电薄膜(40)包括:包括氧化物的第一层、包括具有等于8或更大的介电常数的高k材料的第二层以及包括氧化物的第三层,并且其中,所述第二层被夹在所述第一层和所述第三层之间,并且所述沉积的步骤是通过原子层沉积来执行的。
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