[发明专利]EUV光刻的光学布置

摘要

本发明涉及一种光学布置，尤其是用于微光刻的投射镜头，包括至少一个光学元件(21)，其包括光学表面(31a)和基板(32)，其中，所述基板(32)由一材料形成，所述材料的取决于温度的热膨胀系数在与参考温度Tref有关的零交叉温度ΔTZC＝TZC‑Tref处等于零，其中，在所述光学装置运行期间，所述光学表面(31a)具有取决于位置的温度分布ΔT(x，y)，取决于位置的温度分布依赖于局部辐照度(5a)，与所述参考温度Tref有关，并具有平均温度ΔTav、最小温度ΔTmin和最大温度ΔTmax，其中，所述平均温度ΔTav小于由所述最小温度ΔTmin和所述最大温度ΔTmax形成的平均值1/2(ΔTmax+ΔTmin)，并且其中，所述零交叉温度ΔTZC大于所述平均温度ΔTav。本发明还涉及一种包括这种投射镜头形式的光学布置的EUV光刻设备和一种构造光学布置的相关方法。

主权项

光学布置，包括：至少一个光学元件(21至24)，包括光学表面(31a)和基板(32)，其中，所述基板(32)由材料形成，所述材料的取决于温度的热膨胀系数在与参考温度(Tref)有关的零交叉温度(ΔTZC＝TZC‑Tref)处等于零，其中，在所述光学装置运行期间，所述光学表面(31a)具有取决于位置的温度分布(ΔT(x，y)＝T(x，y)‑Tref)，该取决于位置的温度分布依赖于局部辐照度(5a)，与所述参考温度(Tref)有关，并具有平均温度(ΔTav)、最小温度(ΔTmin)和最大温度(ΔTmax)，其中，所述平均温度(ΔTav)小于由所述最小温度(ΔTmin)和所述最大温度(ΔTmax)形成的平均值(1/2(ΔTmax+ΔTmin))，并且其中，所述零交叉温度(ΔTZC)大于所述平均温度(ΔTav)；以及包括调节所述光学元件(21)的温度的温度调节装置(33a)以及设计成设定所述光学表面(31a)处的平均温度(ΔTav)的温度控制装置(30)，其中，所述温度控制装置(30)设计成以取决于局部辐照度(5a)的方式设定所述零交叉温度(ΔTZC)与所述平均温度(ΔTav)之间的差别(ΔTZC‑ΔTav)。