[发明专利]多光谱传感器有效
申请号: | 201380007003.1 | 申请日: | 2013-01-10 |
公开(公告)号: | CN104081528B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | W·范德腾佩尔;D·范纽温霍夫;M·奎吉克 | 申请(专利权)人: | 软动力学传感器公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J3/28;H01L31/103 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 罗婷婷 |
地址: | 比利时*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及色彩光和不可见光(例如IR)传感器(即多光谱传感器),该传感器可在相机(诸如用于深度测量、反射率测量和色彩测量,并用于生成3D图像数据或3D图像的TOF相机)中使用,还涉及相机本身和操作相机的方法。 | ||
搜索关键词: | 光谱 传感器 | ||
【主权项】:
一种色彩或多光谱图像传感器设备,所述图像传感器设备包括与图像的单个像素相关联的像素传感器,其中所述像素传感器包括:基板,其中电荷载流子可响应于入射在所述基板上的光而生成,形成在所述基板中的用于电接触所述像素传感器的第一(301、616)和第二(302)接触元件,其特征在于,所述第一和第二接触元件彼此毗邻安置,并且进一步包括:第一检测元件(303、304、314、315、404、504、604),所述第一检测元件形成在所述基板中并被配置用于检测在第一检测区域中生成的电荷载流子,用于控制所述第一检测区域的检测能力的装置,第二检测元件(303、304、316、401、500、600),所述第二检测元件形成在所述基板中并被配置用于检测在第二检测区域生成的电荷载流子,第一滤波器元件(311、409、509、609),所述第一滤波器元件被配置用于使第一波长范围的光通过,其中所述第一滤波器元件重叠在所述基板的包括所述第一和第二接触元件并且还包括在所述第一和第二接触元件之间的对光敏感的区域的一部分上,第二滤波器元件(309、310、408、508、608),所述第二滤波器元件被配置用于使第二波长范围的光通过,其中所述第二滤波器元件重叠在所述基板的覆盖第二检测元件的一部分上并且不重叠在所述第一滤波器元件上,其中所述第二波长范围不同于所述第一波长范围,其中所述第一和第二检测元件(303、304、306、314、315、401、404、504、600、604)被横向置于所述第一和第二接触元件(301、302、616)旁边,以使得所述第一和第二接触元件(301、302、616)能够控制所述第一和第二检测元件(303、304、306、314、315、401、404、504、600、604)的检测能力,并且不被置于所述接触元件之间内部;其中所述像素传感器包括基于半导体的结构,其中,所述基板、所述第一和第二接触元件包括第一导电类型的半导体区域,其中所述第一检测元件和所述第二检测元件包括第二导电类型的半导体区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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