[发明专利]用于金属栅极电极的原子层沉积方法有效
| 申请号： | 201380007248.4 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104081531B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 雷雨;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;傅新宇;唐薇;阿蒂夫·努里 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供采用掺杂Si、Al、Ga、Ge、In及/或Hf的TiN及/或TaN膜的装置和方法。此类膜可用作高k介电帽层、PMOS功函数层、铝阻挡层和/或氟阻挡物。这些TiSiN、TaSiN、TiAlN、TaAlN、TiGaN、TaGaN、TiGeN、TaGeN、TiInN、TaInN、TiHfN或TaHfN膜可用于传统上使用TiN及/或TaN膜处，或者所述膜可结合TiN及/或TaN使用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 栅极 电极 原子 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种形成具有金属栅极的集成电路晶体管装置的方法，所述方法包含：提供具有包含高k介电层的表面的基板，其中所述高k介电层包括一种或多种选自Hf、Zr、Ta、La、Gd、Y、Al、Pr、Sc、Ti、In和Lu组成的组的元素的金属氧化物和/或金属硅酸盐，并且所述基板表面具有在200℃至700℃范围内的温度；及使所述基板接触包含Ti或Ta的第一前驱物、包含氨源的第二前驱物和包含Si、Al、Ga、Ge、In或Hf源的第三前驱物，其中所述基板表面同时接触所述第一前驱物和所述第三前驱物以提供选自TiSiN、TaSiN、TiAlN、TaAlN、TiGaN、TaGaN、TiGeN、TaGeN、TiInN、TaInN、TiHfN或TaHfN的金属氮化物层。
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