[发明专利]使用溶剂显影用形成含硅抗蚀剂下层膜的组合物的半导体装置的制造方法

摘要

本发明的课题是提供在将抗蚀剂曝光后，用有机溶剂显影来形成抗蚀剂图案方面良好的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：工序(A)，将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在基板上，进行烘烤来形成抗蚀剂下层膜，所述形成抗蚀剂下层膜的组合物包含水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷为下述式(1)所示的硅烷、式(2)所示的硅烷和式(3)所示的硅烷，在全部硅烷中以摩尔％计下述式(1)所示的硅烷:下述式(2)所示的硅烷:下述式(3)所示的硅烷为45～90:6～20:0～35的比例含有各硅烷；工序(B)，在上述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜；工序(C)，将上述抗蚀剂膜进行曝光；工序(D)，曝光后将抗蚀剂膜用有机溶剂显影，获得被图案化了的抗蚀剂膜；和工序(E)，利用被图案化了的抗蚀剂膜对上述抗蚀剂下层膜进行蚀刻，利用被图案化了的抗蚀剂下层膜对基板进行加工。Si(R¹)₄式(1)R²[Si(R³)₃]_a式(2)R⁴[Si(R⁵)₃]_b式(3)。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：工序(A)，将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在基板上，进行烘烤来形成抗蚀剂下层膜，所述形成抗蚀剂下层膜的组合物包含水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷为下述式(1)所示的硅烷、式(2)所示的硅烷和式(3)所示的硅烷，在全部硅烷中以摩尔％计下述式(1)所示的硅烷∶下述式(2)所示的硅烷∶下述式(3)所示的硅烷为45～90∶6～20∶0～35的比例含有各硅烷；工序(B)，在所述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜；工序(C)，将所述抗蚀剂膜进行曝光；工序(D)，曝光后将抗蚀剂膜用有机溶剂作为溶剂显影液进行显影，获得被图案化了的抗蚀剂膜；和工序(E)，利用被图案化了的抗蚀剂膜对所述抗蚀剂下层膜进行蚀刻，利用被图案化了的抗蚀剂下层膜对基板进行加工，Si(R¹)₄            式(1)R²〔Si(R³)₃〕_a      式(2)R⁴〔Si(R⁵)₃〕_b     式(3)式中，R¹、R³、R⁵表示烷氧基、酰氧基或卤原子，R²表示可以具有取代基的包含苯环的有机基团并且R²通过Si‑C键与硅原子结合，R⁴表示可以具有取代基的包含烃的有机基团并且R⁴通过Si‑C键与硅原子结合，a表示1～3的整数，b表示1～3的整数。