[发明专利]用于ALD/CVD含硅薄膜应用的有机硅烷前体有效
| 申请号： | 201380007437.1 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104080944A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | C·迪萨拉;G·库肯拜泽尔;V·R·帕里姆 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;C23C16/448 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王丹丹;刘金辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明公开了含Si薄膜形成前体、其合成方法及使用其以使用气相沉积法沉积含硅薄膜用于制造半导体、光伏装置、LCD-TFT、平板型装置、耐火材料或航空材料的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 ald cvd 薄膜 应用 有机 硅烷 | ||
【主权项】：
一种含Si薄膜形成前体，其具有下式：![]()
其中R1和R2可各自独立地为H、C1‑C6烷基或C3‑C20芳基或杂环基且R3可为H、C1‑C6烷基、C3‑C20芳基或杂环基、氨基、烷氧基或卤素。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
