[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

申请号：	201380007483.1	申请日：	2013-01-24
公开（公告）号：	CN104094386B	公开（公告）日：	2017-06-23
发明（设计）人：	宫本忠芳;伊东一笃;森重恭;宫本光伸;小川康行;中泽淳;松尾拓哉;内田诚一	申请（专利权）人：	夏普株式会社
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;G02F1/1368;G09F9/30;H01L29/786
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司11322	代理人：	龙淳
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	半导体装置(100A)包括基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；包括在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8a)的层间绝缘层(8)；和在层间绝缘层(8)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
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【主权项】：

一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；在所述基板上形成的栅极电极；在所述栅极电极上形成的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极；与所述漏极电极电连接的第一透明电极；包括在所述源极电极和所述漏极电极上形成的电介质层的层间绝缘层；和在所述层间绝缘层上形成的第二透明电极，所述第二透明电极的至少一部分隔着所述电介质层与所述第一透明电极重叠，所述氧化物半导体层和所述第一透明电极由相同的氧化物膜形成，所述第一透明电极以比所述氧化物半导体层高的浓度含有杂质，所述层间绝缘层中位于所述第一透明电极上的部分以比其它部分高的浓度含有杂质。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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