[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，其对形成于衬底上的相对介电常数不同的第一膜和第二膜交替层叠而形成的多层膜，以多层膜上的光致抗蚀剂层(PR)为掩模，利用等离子体进行蚀刻，将多层膜形成为阶梯形状，该半导体器件的制造方法反复进行如下工序：以光致抗蚀剂层为掩模对第一膜进行蚀刻的第一工序；将处理室内的压力设定为6～30Torr，对下部电极施加等离子体生成用的高频电力和偏置用的高频电力，利用由此生成的等离子体，对光致抗蚀剂层进行蚀刻的第二工序；以光致抗蚀剂层和第一膜为掩模对第二膜进行蚀刻的第三工序。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其用于在具有上部电极和下部电极的平行平板型等离子体处理装置中，通过导入处理气体并对所述下部电极施加高频电力生成等离子体，对在衬底上交替层叠相对介电常数不同的第一膜和第二膜而形成的多层膜，以该多层膜上的光致抗蚀剂层为掩模，利用所述等离子体进行蚀刻，将所述多层膜形成为阶梯形状，所述半导体器件的制造方法的特征在于，包括：第一工序：以所述光致抗蚀剂层为所述掩模，对所述第一膜进行蚀刻；第二工序：将处理室内的压力设定为6Torr以上30Torr以下，对所述下部电极施加等离子体生成用的高频电力和偏置用的高频电力，由此生成等离子体，并利用所生成的等离子体对所述光致抗蚀剂层进行蚀刻，使得所述光致抗蚀剂层的水平方向的面积缩小；和第三工序：以所述光致抗蚀剂层和所述第一膜为所述掩模，对所述第二膜进行蚀刻，以规定次数反复实施所述第一工序至所述第三工序。