[发明专利]形成具有选择性发射极的太阳能电池的方法

摘要

提出一种生产具有选择性发射极的太阳能电池的方法。提供半导体衬底(1)。在衬底(1)的表面形成与衬底(1)的基本掺杂剂类型相反的发射极掺杂剂类型的掺杂剂源材料层(3)。通过对层(3)加热，形成均匀轻掺杂发射极区(5)。在第一激光作用步骤中，通过对接触表面区域(9)施加激光(7)，形成选择性重掺杂发射极区(11)。可选地，随后去除层(3)，并且对衬底(1)的前侧施加附加的电介质层(15)。在第二激光作用步骤中，通过对接触表面区域(9)施加激光(21)，局部去除层(3)或层(15)，从而局部露出衬底(1)的表面。在局部露出的接触表面区域(9)中，使用例如镀金属技术，最终形成金属触点(23)。使用两个不同的激光作用步骤，一方面用于激光掺杂，另一方面用于激光去除以形成金属化掩模，这可以彼此独立地优化每个激光作用步骤，从而能够改进工艺和最终得到的太阳能电池。

主权项

一种生产太阳能电池的方法，包括以下步骤：(a)提供以基本掺杂剂类型掺杂的半导体衬底(1)；(b)在所述半导体衬底(1)的表面形成与所述基本掺杂剂类型相反的发射极掺杂剂类型的掺杂剂源材料层(3)；(c)对所述掺杂剂源材料层(3)加热，从而掺杂剂从所述掺杂剂源材料层(3)扩散到所述半导体衬底(1)的相邻表面区域中，以形成均匀轻掺杂发射极区(5)；(d)在第一激光作用步骤中，对所述半导体衬底(1)表面的接触表面区域(9)局部施加激光(7)，从而在所述半导体衬底(1)的所述接触表面区域(9)中附加产生电活性掺杂剂，以形成选择性重掺杂发射极区(11)；(e)在第二激光作用步骤中，对所述半导体衬底(1)表面的所述接触区域(9)局部施加激光(21)，从而局部去除所述掺杂剂源材料层(3)和在所述半导体衬底(1)的表面形成的电介质层(15)中的至少之一，从而在所述接触表面区域(9)中局部露出所述半导体衬底(1)的表面，其中在所述第二激光作用步骤中，施加与所述第一激光作用步骤中特征不同的激光；(f)在所述局部露出的接触表面区域(9)中形成电接触所述半导体衬底(1)的表面的金属触点(23)。