[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201380008509.4 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN104160521B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 田才邦彦;中岛博;风田川统之;簗岛克典;盐谷阳平;熊野哲弥;京野孝史 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其包括具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1‑x1‑y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1‑x2‑y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：由六方III族氮化物半导体制成并且具有半极面的半导体基板；以及在所述半导体基板的所述半极面上形成的外延层，包括：第一导电类型的第一包覆层、第二导电类型的第二包覆层和在所述第一包覆层和所述第二包覆层之间形成的发光层，所述第一包覆层由Inx1Aly1Ga1‑x1‑y1N制成，其中x1>0且y1>0，所述第二包覆层由Inx2Aly2Ga1‑x2‑y2N制成，其中0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07，其中，所述第二包覆层中的氧浓度为2.0×1017/cm3至4.0×1017/cm3。
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