[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

摘要

半导体装置具有设置于沟道层(14)的上部上的上部障壁层中的第一障壁层(15)，第一障壁层(15)构成沟道层(14)侧的界面层并且由这样的化合物半导体构成：在第一障壁层(15)与沟道层(14)的接合部，该化合物半导体的载流子运动侧能带比沟道层(14)的载流子运动侧能带更远离沟道层(14)之内的本征费米能级。半导体装置具有设置于上部障壁层的表面层的第二障壁层(16)，第二障壁层(16)由这样的化合物半导体构成：在第二障壁层(16)与第一障壁层(15)形成接合的状态下，在该接合处，该化合物半导体的位于带隙两边的载流子运动侧及其相对侧的能带比第一障壁层(15)的位于带隙两边的载流子运动侧及其相对侧的能带更远离第一障壁层(15)内的本征费米能级。此外，半导体装置包括：低电阻区域(16g)，其设置在第二障壁层(16)的至少表面层并且通过含有具有与载流子的导类型相反的导电型的杂质来保持比周边区域低的电阻；位于低电阻区域(16g)的相对两侧并且连接到第二障壁层(16)的源极电极(23s)和漏极电极(23d)；隔着栅极绝缘膜(25)设置于低电阻区域(16g)上方的栅极电极(27)。

主权项

一种半导体装置，其包括：沟道层，所述沟道层由化合物半导体构成；上部障壁层，所述上部障壁层由化合物半导体构成并且设置在所述沟道层上；第一障壁层，所述第一障壁层构成所述上部障壁层中的所述沟道层侧的边界层，且所述第一障壁层由这样的化合物半导体构成：在所述第一障壁层与所述沟道层的接合部处，构成所述第一障壁层的化合物半导体的载流子运动侧能带比所述沟道层的载流子运动侧能带更远离所述沟道层内的本征费米能级；第二障壁层，所述第二障壁层设置在所述上部障壁层的表面层，且所述第二障壁层由这样的化合物半导体构成：在所述第二障壁层与所述第一障壁层形成接合的状态下，在接合部处，构成所述第二障壁层的化合物半导体的隔着带隙与载流子运动侧能带相对的能带比所述第一障壁层的隔着带隙与载流子运动侧能带相对的能带更远离所述第一障壁层内的本征费米能级；低电阻区域，所述低电阻区域设置在所述第二障壁层的至少表面层中，且所述低电阻区域包含与载流子的导电型相反的导电型的杂质以保持比周边区域更低的电阻；源极电极和漏极电极，所述源极电极和漏极电极在横跨所述低电阻区域两侧的位置处连接至所述第二障壁层；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜设置在所述低电阻区域上；和栅极电极，所述栅极电极隔着所述栅极绝缘膜设置在所述低电阻区域上方。