[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380008904.2 | 申请日： | 2013-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104145342B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 吉川功 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强,王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在成为n‑漂移区(1a)的半导体基板的一个主面侧，设置有沟道栅MOS结构。在n‑漂移区(1a)的内部，设置有与构成沟道栅MOS结构的p基区(2a)的n‑漂移区(1a)侧接触的n壳区(13)。n壳区(13)具有比n‑漂移区(1a)高的杂质浓度。n壳区(13)中的n型的杂质的有效注入剂量为5.0×1012cm‑2以下。n‑漂移区(1a)具有施加以发射极为正极的反向的额定电压时，使得从另一个主面侧的p集电区(10a)扩展的耗尽层不能到达n壳区(13)和第一沟道(5)的底部中的离p集电区(10a)较近的一方的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：漂移区，由第一导电型的半导体基板构成；第二导电型的基区，选择性地设置于所述半导体基板的一个主面的表面层；第一导电型的发射区，选择性地设置于所述基区的内部；沟道，从所述半导体基板的一个主面贯通所述发射区和所述基区而到达所述漂移区；绝缘膜，沿所述沟道的内壁设置；栅电极，隔着所述绝缘膜埋设于所述沟道的内部；发射电极，与所述发射区和所述基区接触；第一导电型的壳区，设置于所述漂移区的内部，且与所述基区的所述漂移区侧接触；和第二导电型的集电区，设置于所述半导体基板的另一个主面的表面层，所述壳区具有比所述漂移区高的杂质浓度，所述沟道具有贯通所述壳区的深度，所述壳区中的第一导电型的杂质的有效注入剂量为5.0×1012cm‑2以下，所述漂移区具有施加以所述发射电极为正极的反向的额定电压时使得从所述集电区扩展的耗尽层不能到达所述沟道的底部的电阻率。
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