[发明专利]激光器架构在审
| 申请号： | 201380009037.4 | 申请日： | 2013-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104115349A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | R·范利文;B·徐;Y·熊;J-F·瑟兰;C·戈什 | 申请（专利权）人： | 瑞尔D股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所(普通合伙) 11269 | 代理人： | 严慎;支媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了VCSEL系统的架构。通过使用高功率红外VCSEL元件，可使用块状倍频材料使所述红外光倍频并且在连续波(CW)或脉冲模式下于腔体中产生可见光(红光、绿光、蓝光或紫外光)。这些VCSEL的输出分布布拉格反射器(DBR)的反射率可被设计成增加所述腔体中的功率，而不是VCSEL激光器中的功率。通过使得能够在腔体中使用块状倍频材料并且使VCSEL直接倍频，所述装置可价格便宜、更简单、效率高、可靠性更好并且极大地改善制造和对准容限。有多个腔体架构可用于使来自VCSEL的红外光倍频。所述VCSEL可为单独元件，或为具有高强度元件的阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 架构 | ||
【主权项】：
一种垂直腔面发射激光器系统的架构，所述架构包括：至少一个垂直腔面发射激光器(VCSEL)元件；倍频材料，所述倍频材料位于与所述VCSEL元件相邻的腔体中并且被构造成接收从所述VCSEL元件发出的光，并且使所接收光的频率基本上倍频；以及输出耦合器，所述输出耦合器被构造成输出来自所述腔体的倍频光。
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