[发明专利]设置晶体半导体材料薄层的方法以及有关的结构和器件

摘要

制造半导体器件的方法包括以下步骤在晶体硅层的一部分中形成金属硅化物；以及使用相对于所述晶体硅对所述金属硅化物有选择性的蚀刻剂来蚀刻所述金属硅化物，以设置薄晶体硅层。可以通过以下步骤形成绝缘体上硅(SOI)基板在晶体硅层与基底基板之间具有介电材料的情况下在基底基板上设置晶体硅层；以及通过在所述晶体硅的一部分中形成金属硅化物层并且然后使用相对于所述晶体硅对所述金属硅化物层有选择性的蚀刻剂蚀刻所述金属硅化物层来使所述晶体硅层变薄。

主权项

一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在受主结构上设置晶体硅层；在邻近所述晶体硅层的暴露主表面的晶体硅的一部分中形成金属硅化物；以及使用相对于所述晶体硅对所述金属硅化物有选择性的蚀刻剂来蚀刻所述金属硅化物，其中，蚀刻所述金属硅化物的步骤包括以下步骤：至少去除所述金属硅化物并且暴露所述晶体硅的表面，并且所述方法还包括以下步骤：使用湿法清洗工艺、化学机械抛光工艺、等离子体清洗工艺和离子修整工艺中的一个或更多个来使所述晶体硅的表面平滑。