[发明专利]包括初级和二级电晶体的存储单元有效
| 申请号： | 201380009774.4 | 申请日： | 2013-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN104471648B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 尤尼亚托·维查亚;韩京宇;本杰明·S.·路易 | 申请（专利权）人： | 芝诺半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;H01L21/8239;H01L27/10 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 王程,何冲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此公开半导体存储单元、阵列和操作方法。在一个实例中，一个存储单元包括一个双稳的浮体电晶体和一个记忆体件；其特征在于，上述双稳浮体电晶体和一个记忆体件为串联电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 初级 二级 电晶体 存储 单元 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一个半导体存储单元，其包括：一个双稳浮体电晶体，包括回馈偏压区，所述回馈偏压区配置为当所述半导体存储单元处于第一状态和第二状态中的其中一个状态时产生碰撞电离，并且所述回馈偏压区还配置为当所述半导体存储单元处于所述第一状态和第二状态中的另一个状态时不产生碰撞电离；和一个存取器件；其特征在于，上述双稳浮体电晶体和上述存取器件为串联电连接。
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