[发明专利]成像元件和电子设备有效

专利信息
申请号: 201380010138.3 申请日: 2013-01-28
公开(公告)号: CN104170372B 公开(公告)日: 2019-10-15
发明(设计)人: 西原利幸;角博文 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H01L27/146;H04N5/369;H04N5/378
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张晓明
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提高光子计数的准确度。成像元件提供有像素和确定单元。该像素提供有嵌入沟道型MOS晶体管构成的传送晶体管,并且基于由处于导通状态的传送晶体管从光电二极管向浮置扩散传送的电荷输出像素信号。该确定单元将所输出的像素信号转换成数字值,比较所转换的数字值和阈值,并且做出关于光子是否入射在产生像素信号的像素上的二元确定。
搜索关键词: 成像 元件 电子设备
【主权项】:
1.一种图像传感器,其包括:像素,每一个都被配置为包括被配置为嵌入沟道型MOS晶体管的传送晶体管,并且基于由处于导通状态的所述传送晶体管从光电二极管向浮置扩散传送的电荷来输出像素信号;以及确定单元,被配置为将所输出的像素信号转换成数字值,然后比较所转换的数字值和阈值,从而做出关于在已经产生所述像素信号的像素上存在或不存在光子的入射的二元确定,其中所述光电二极管包括由第一导电杂质扩散层构成的电荷积累区域;其中所述浮置扩散由所述第一导电杂质扩散层构成;并且其中所述传送晶体管包括在所述光电二极管与所述浮置扩散之间用作沟道的沟道区域,并且所述沟道区域由浓度等于或高于1×1015粒/cm3的所述第一导电杂质扩散层构成以当所述晶体管处于栅极截止状态时用作溢出漏极从而阻止从积累区域溢出的电子漏到其他像素。
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