[发明专利]三甲基硅烷的纯化方法有效
| 申请号： | 201380010463.X | 申请日： | 2013-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104136447A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 手岛卓也;柴山茂朗;中村阳介;平冈知之 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | C07F7/20 | 分类号： | C07F7/20;C07F7/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三甲基硅烷的纯化方法，其包括(1)准备至少浸渍有氧化铜(II)以及氧化锌的活性碳的工序；(2)使三甲基硅烷吸附于前述活性碳的工序；(3)使包含硅烷、甲基硅烷、或者二甲基硅烷作为杂质的三甲基硅烷接触完成了前述(2)的工序的活性碳，吸附该杂质并从三甲基硅烷去除的工序。通过该方法，可以抑制活性碳的发热，高效地去除二甲基硅烷等杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 甲基 硅烷 纯化 方法 | ||
【主权项】：
一种三甲基硅烷的纯化方法，其包括：(1)准备至少浸渍有氧化铜(II)以及氧化锌的活性碳的工序；(2)使三甲基硅烷吸附于所述活性碳的工序；(3)使包含硅烷、甲基硅烷、或者二甲基硅烷作为杂质的三甲基硅烷接触完成了所述(2)的工序的活性碳、吸附该杂质并从三甲基硅烷去除的工序。
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