[发明专利]制造太阳能电池的方法有效
申请号: | 201380010618.X | 申请日: | 2013-02-22 |
公开(公告)号: | CN104303316B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | J.D.莫施纳;H.纳格尔;A.拉霍维奇;M.菲德勒 | 申请(专利权)人: | 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 周铁,石克虎 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及制造具有硅衬底的太阳能电池的方法,其中在所述衬底的表面上存在氧化硅层以及在其上施加的抗反射层,该层在加工间中沉积在所述介电钝化层上。为了实现相应的太阳能电池或由其制成的太阳能电池模块针对电位诱导退化(PID)的稳定性,提议将所述介电钝化层由衬底的表面在加工间中借助含有氧化气体的等离子体而形成。 | ||
搜索关键词: | 制造 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
制造太阳能电池的方法,其包括以下步骤:提供硅衬底;通过在含有氧化剂的溶液中处理所述衬底进行化学氧化在所述衬底上形成亲水化表面;提供预加工间;在所述预加工间下游提供加工间;在氧分压为至少100Pa的氧化气体存在下,通过使所述衬底经受一段时间t的≥250℃的温度T,在所述预加工间中由所述衬底的亲水化表面形成氧化硅层形式的介电钝化层;和在加工间中在所述介电钝化层上沉积抗反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的