[发明专利]修复和/或保护反应器中表面的方法有效
| 申请号： | 201380010957.8 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104136138B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 布拉德·詹森·沃纳 | 申请（专利权）人： | 赫姆洛克半导体运营有限责任公司 |
| 主分类号： | B05D7/22 | 分类号： | B05D7/22;B01J19/02;B05D7/00;B05D3/02;B05D3/04;B05D5/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人： | 牟静芳,郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在反应器中组件的表面上形成异质保护层的方法，所述方法可用于修复和/或保护。所述反应器可用于制备多晶硅或其反应物。所述异质保护层包含硅，并且可包含碳化硅(SiC)和/或氮化硅(Si3N4)。所述方法包括提供了一种用于形成所述异质保护层的聚合物组合物。所述聚合物组合物可包含聚碳硅烷和/或聚硅氮烷。所述方法还包括提供所述组件。所述组件的表面包含碳，诸如石墨、碳纤维强化碳或它们的组合。所述方法还包括在所述表面上施加所述聚合物组合物以形成固化前涂层。所述方法还包括加热所述固化前涂层以形成所述异质保护层。在加热所述固化前涂层的过程中所述组件的所述表面存在于所述反应器内。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 保护 反应器 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种在反应器的组件的表面上形成异质保护层的方法，其中所述异质保护层包含硅，所述方法包括以下步骤：提供一种用于形成所述异质保护层的聚合物组合物；提供所述组件，其中所述组件的表面包含石墨、碳纤维强化碳(CFRC)或它们的组合；在所述组件的所述表面上施加所述聚合物组合物以形成固化前涂层；并且加热所述固化前涂层以形成所述异质保护层；其中在加热所述固化前涂层的过程中，所述组件的所述表面存在于所述反应器内；其中所述固化前涂层通过将气体组合物送入所述反应器内而加热；其中反应器环境的所述气体组合物：i)包含三氯硅烷、四氯化硅或它们的组合；以及任选地ii)还包含氢。
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