[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201380010965.2 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104137266A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 田中康太郎;内田正雄;庭山雅彦;楠本修 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的碳化硅半导体装置，具备：碳化硅半导体层；栅极绝缘层，其配置在碳化硅半导体层上，且包含硅氧化膜；栅极电极，其配置在栅极绝缘层上；碳迁移层，其位于碳化硅半导体层与硅氧化膜之间，且碳原子浓度相对于碳化硅半导体层中的碳原子浓度为10％以上且90％以下，在碳迁移层中与氮原子浓度成为最大的位置相比更靠近硅氧化膜侧的区域，氮原子浓度的积分值相对于碳原子浓度的积分值的比率为0.11以上。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置，具备：碳化硅半导体层；栅极绝缘层，其配置在上述碳化硅半导体层上，且包含硅氧化膜；栅极电极，其配置在上述栅极绝缘层上；碳迁移层，其位于上述碳化硅半导体层与上述硅氧化膜之间，且碳原子浓度相对于上述碳化硅半导体层中的碳原子浓度为10％以上且90％以下，在上述碳迁移层中与氮原子浓度成为最大的位置相比更靠近上述硅氧化膜侧的区域，氮原子浓度的积分值相对于碳原子浓度的积分值的比率为0.11以上。
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