[发明专利]包括释放层的无凸块构建层封装有效
申请号: | 201380011202.X | 申请日: | 2013-06-04 |
公开(公告)号: | CN104137230B | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 靳力文;D·塞内卫拉特尼 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/58 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 何焜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 示例包括管芯封装,管芯封装包括具有管芯下表面、与管芯下表面平行的管芯上表面、和管芯侧面的微电子管芯,微电子管芯包括有源区域和无源区域。示例可任选地包括释放层,该释放层具有释放层下表面、与释放层下表面平行的释放层上表面、和至少一个释放层侧面,释放层与微电子管芯的上表面耦合且与管芯的无源区域热连通并且与有源区域电绝缘。示例可任选地包括密封管芯侧面和释放层侧面和释放层下表面的密封材料,密封材料包括基本上与管芯下表面平行的下表面和基本上与管芯上表面平行的上表面。 | ||
搜索关键词: | 包括 释放 无凸块 构建 封装 | ||
【主权项】:
一种封装微电子管芯的方法,包括:将顶部树脂耦合到顶部金属膜上;将顶部释放层耦合到顶部树脂层上;将底部树脂耦合到底部金属膜上;将底部释放层耦合到底部树脂层上;采用弱粘结将所述顶部释放层粘附至衬底的顶部表面;采用弱粘结将所述底部释放层粘附至衬底的底部表面;蚀刻所述顶部金属膜,限定顶部腔;蚀刻所述底部金属膜,限定底部腔;在所述顶部腔中将顶部微电子管芯耦合到所述顶部金属膜上;在所述底部腔中将底部微电子管芯耦合到所述底部金属膜上;按照切割线切割所述顶部金属膜、顶部释放层、顶部树脂、底部金属膜、底部释放层、底部树脂和衬底,所述切割线设置在与所述衬底耦合的所述顶部树脂层的一部分和与所述衬底耦合的所述底部树脂层的一部分之间;克服弱粘结使所述顶部释放层从所述衬底的顶部表面分离;以及克服弱粘结使所述底部释放层从所述衬底的底部表面分离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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