[发明专利]高密合性抗蚀剂下层膜形成用组合物有效
申请号: | 201380011378.5 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN104136997A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 远藤贵文;坂本力丸;藤谷德昌 | 申请(专利权)人: | 日产化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F7/11 | 分类号: | G03F7/11;C08G63/00;C08G65/40;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 李照明;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的课题是提供用于形成提高了与抗蚀剂的密合性的抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的手段是,一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物,其包含主链具有下述式(1)所示的重复结构单元的聚合物和有机溶剂。(1)(式中,R1表示氢原子或甲基,Q1表示下述式(2)或式(3)所示的基团,v1和v2各自独立地表示0或1。)(2)(3)(式中,R2、R3、R5和R6各自独立地表示氢原子或碳原子数1~4的直链状或支链状的烃基,R4表示氢原子或甲基,R7表示碳原子数1~6的直链状或支链状的烃基、碳原子数1~4的烷氧基、碳原子数1~4的烷硫基、卤原子、氰基或硝基,w1表示0~3的整数,w2表示0~2的整数,x表示0~3的整数。) | ||
搜索关键词: | 高密 合性抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
【主权项】:
一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物,其包含主链具有下述式(1)所示的重复结构单元的聚合物和有机溶剂,式中,R1表示氢原子或甲基,Q1表示下述式(2)或式(3)所示的基团,v1和v2各自独立地表示0或1;式中,R2、R3、R5和R6各自独立地表示氢原子或碳原子数1~4的直链状或支链状的烃基,R4表示氢原子或甲基,R7表示碳原子数1~6的直链状或支链状的烃基、碳原子数1~4的烷氧基、碳原子数1~4的烷硫基、卤原子、氰基或硝基,w1表示0~3的整数,w2表示0~2的整数,x表示0~3的整数。
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