[发明专利]用于ACLED的硅衬底上的氮化镓LED与氮化铝镓/氮化镓器件的集成

摘要

一种用于制造外延结构的方法，包括提供衬底（102,202,302,402）和衬底的第一侧上的异质结堆叠，以及在衬底的第二侧上形成GaN发光二极管堆叠（134）。异质结堆叠包括无掺杂氮化镓（GaN）层和无掺杂GaN层上的掺杂氮化铝镓（AlGaN）层。GaN发光二极管堆叠（134）包括衬底之上的n型GaN层（136）、n型GaN层之上的GaN/氮化铟镓（InGaN）多量子阱（MQW）结构（138）、n型GaN/InGaN MQW结构之上的p型AlGaN层（140），以及p型AlGaN层之上的p型GaN层（142）。

主权项

一种用于制造外延结构的方法，包括：提供衬底和衬底的第一侧之上的异质结堆叠，异质结堆叠包括衬底的第一侧之上的无掺杂氮化镓（GaN）层和无掺杂GaN层上的掺杂氮化铝镓（AlGaN）层；以及在衬底的第二侧之上形成GaN发光二极管堆叠，GaN发光二极管堆叠包括衬底的第二侧之上的n型GaN层、n型GaN层之上的n型GaN/氮化铟镓（InGaN）多量子阱（MQW）结构、n型GaN/InGaN MQW结构之上的p型AlGaN层，以及p型AlGaN层之上的p型GaN层,处理异质结堆叠以形成耦合到发光二极管堆叠的一个或多个器件，一个或多个器件选择形成包括AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）和AlGaN/GaN肖特基二极管的组。