[发明专利]用于半导体加工的使用交流驱动的多路复用加热器阵列有效
申请号: | 201380011565.3 | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN104205307B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 约翰·皮斯;尼尔·本杰明 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于半导体等离子体加工装置中的衬底支撑组件的加热板,包括布置在可扩展的多路复用布局中的多个可独立控制的平面加热器区以及独立控制所述平面加热器区并给其独立供电的电气设备。并入加热板的衬底支撑组件包括静电夹紧电极和温控基板。用于制造加热板的方法包括将具有平面加热器区、分支传输线、公共传输线和通孔的陶瓷或聚合物片材粘合在一起。加热板能通过交流电或直流相变功率驱动,这样的优点是使衬底支撑组件上方的直流磁场效应最小并且减小直流磁场引起的等离子体不均匀性。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 加工 使用 交流 驱动 多路复用 加热器 阵列 | ||
【主权项】:
一种用于衬底支撑组件的加热板,该衬底支撑组件用于在半导体加工装置中支撑半导体衬底,所述加热板包括:第一电气绝缘层;多个加热器区,包括至少第一、第二、第三和第四加热器区,所述加热器区分布在所述第一电气绝缘层上,并且能操作来调节所述衬底上的空间温度分布;多个二极管,包括至少第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八二极管;多个第一电源线,包括经由所述第一二极管电气连接到所述第一加热器区和经由所述第三二极管电气连接到所述第二加热器区的第一导电分支传输线、经由所述第二二极管电气连接到所述第一加热器区和经由所述第四二极管电气连接到所述第二加热器区的第三导电分支传输线、经由所述第五二极管电气连接到所述第三加热器区和经由所述第七二极管电气连接到所述第四加热器区的第二导电分支传输线以及经由所述第六二极管电气连接到所述第三加热器区和经由所述第八二极管电气连接到所述第四加热器区的第四导电分支传输线;以及多个第二电源线,至少包括电气连接到所述第一加热器区和所述第三加热器区的第一导电公共传输线以及电气连接到所述第二加热器区和所述第四加热器区的第二导电公共传输线,其中所述第一电源线和/或所述第二电源线在空间上布置成使所述加热板上方的电磁场最小化并且减小由这种电磁场引起的等离子体的不均匀性;其中每个加热器区包括至少一个电阻加热器元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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