[发明专利]光电变换装置及其制造方法、光电变换模块

摘要

在n型晶体硅基板(2)的与受光面相反一侧的背面，具备n型半导体层(11)以及p型半导体层(10)、在所述n型半导体层(11)上形成了的集电极(4)、以及在所述p型半导体层(10)上形成了的集电极(3)，在所述n型晶体硅基板(2)的受光面侧的表面，具备n型半导体区域(8)，在所述n型半导体区域(8)，在隔着所述n型晶体硅基板(2)与所述n型半导体层(11)相向的n型半导体区域(8b)、和隔着所述n型晶体硅基板(2)与所述p型半导体层(10)相向的n型半导体区域(8a)中，平均杂质浓度不同。

主权项

一种光电变换装置，其特征在于，在第一导电类型的半导体基板的与受光面相反一侧的背面，具备第一导电类型的第一半导体层以及第二导电类型的第二半导体层、在所述第一半导体层上形成了的第一电极、和在所述第二半导体层上形成了的第二电极，在所述半导体基板的受光面侧的表面，具备第一导电类型的半导体区域，在所述半导体区域，在隔着所述半导体基板与所述第一半导体层相向的第一区域、和隔着所述半导体基板与所述第二半导体层相向的第二区域中，平均杂质浓度不同。