[发明专利]使用了具有纳米结构的基板的热电转换材料及其制造方法有效
| 申请号： | 201380011933.4 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN104137284B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 加藤邦久;安达千波矢;宫崎康次;早川晃镜 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人九州大学;琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 高旭轶,孟慧岚 |
| 地址： | 日本福冈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供导热系数低、热电性能指数提高了的热电转换材料及其制造方法；本发明的热电转换材料在基板上形成有热电半导体层，所述基板具有纳米结构，所述纳米结构是纳米级的微细孔状，所述热电半导体层是将热电半导体材料成膜而形成的，其中，所述基板是由嵌段共聚物形成的嵌段共聚物基板，所述嵌段共聚物由聚甲基丙烯酸甲酯单元和含多面体低聚倍半硅氧烷的聚甲基丙烯酸酯单元构成，所述热电半导体材料是p型碲化铋或n型碲化铋；以及，本发明的热电转换材料的制造方法包括基板制作工序，制作具有所述纳米结构的嵌段共聚物基板；和成膜工序，将p型碲化铋或n型碲化铋成膜而形成热电半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 纳米 结构 热电 转换 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
热电转换材料，其是在基板上形成有热电半导体层的热电转换材料，所述基板具有纳米结构，所述纳米结构是纳米级的微细孔状，所述热电半导体层是将热电半导体材料成膜而形成的，其特征在于，所述基板是包含嵌段共聚物的嵌段共聚物基板，所述嵌段共聚物由聚甲基丙烯酸甲酯单元和含多面体低聚倍半硅氧烷的聚甲基丙烯酸酯单元构成，所述热电半导体材料是p型碲化铋或n型碲化铋，所述含有含多面体低聚倍半硅氧烷的聚甲基丙烯酸酯单元的相中，所述纳米级的微细孔状即纳米结构的内底部存在含有所述聚甲基丙烯酸酯单元的相，所述嵌段共聚物基板的厚度为10～1000nm，所述纳米结构的所述纳米级的微细孔状的深度为10～1000nm，平均直径为10～1000nm，所述纳米结构排列的平均间隔为10～1500nm，所述热电半导体层存在于所述纳米结构的内底部和所述纳米结构的顶部，并且该纳米结构的内底部与该纳米结构的顶部不形成连续的层且维持绝缘性，所述热电半导体层在所述纳米结构的顶部的膜厚为10～500nm，在所述纳米结构的内底部的膜厚为5～200nm。
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