[发明专利]形成层的方法有效
| 申请号： | 201380012241.1 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN104321459B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | P·G·皮彻 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00;C23C14/06;C23C14/22;H01J37/317;C23C14/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在许多薄膜应用中，将在其上形成层的表面可包括若干不同材料，一些是电绝缘的而一些是导电的；和/或若干不同布局。这些表面可影响该表面的带电效果，从而导致与包含带电粒子的传入粒子束的不同并且可能未知的相互作用。当前利用的工艺通过将电子束与离子束组合由此寻求获得净零电荷，仅补偿组成该束的带电粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 形成层 方法 | ||
【主权项】：
一种形成层的方法，所述方法包括：提供具有至少一个表面的衬底，所述至少一个表面上适于进行沉积；提供前体离子束，所述前体离子束包括离子；中和所述前体离子束的至少一部分离子以形成中性粒子束，所述中性粒子束包括从所述前体离子束的离子中和而来的中性粒子；以及将所述中性粒子束引向所述衬底的表面，其中所述中性粒子具有不大于100eV的注入能，并且所述粒子束的中性粒子在所述衬底上形成层。
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