[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201380013127.0 | 申请日： | 2013-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN104145044B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | B.格厄茨;J.莫斯布格尔;A.普勒斯尔;M.萨巴蒂尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/448 | 分类号： | C23C16/448;C23C24/04;H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢江;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明一种用于制造光电子半导体芯片的方法，具有如下步骤：将光电子半导体层序列（2）生长在生长衬底（1）上，通过借助气溶胶沉积方法沉积电绝缘材料的颗粒，在光电子半导体层序列（2）的背离生长衬底（1）的侧上构造电绝缘层（4），在构造电绝缘层（4）之后至少部分地去除生长衬底（1）。此外，说明一种光电子半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造光电子半导体芯片的方法，具有如下步骤：‑ 将光电子半导体层序列（2）生长在生长衬底（1）上，‑ 通过借助气溶胶沉积方法沉积电绝缘材料的颗粒，在所述光电子半导体层序列（2）的背离所述生长衬底（1）的侧上构造电绝缘层（4），‑ 在构造所述电绝缘层（4）之后至少部分地去除所述生长衬底（1）。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
