[发明专利]具有两个刻蚀步骤P1和P3的用于制造光伏模块的方法及相应的光伏模块有效
| 申请号： | 201380013518.2 | 申请日： | 2013-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104160508B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 尼古拉斯·卡斯特;塞瓦克·艾姆泰布兰;S·珀劳德 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L27/142 | 分类号： | H01L27/142 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人： | 王琳,武晨燕 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造光伏模块的方法，所述光伏模块包括薄层结构中的多个太阳能电池，其中，在所述结构中相继地产生下述部分背面电极(41)、光伏层(43)以及另一个半导体层(44)，所述光伏层通过对包括金属前驱和Se和S之中的至少一种元素的组分进行沉积并且进行热处理将这些组分转化为半导体材料而获得，所述另一个半导体(44)层用于与所述光伏层(43)形成pn结；其特征在于，所述金属前驱在所述背面电极(41)上形成连续的层，而所述至少一种元素形成具有至少一个缺口的层，使得在热处理步骤结束时能够于所述缺口处在金属前驱层中保留金属状态的区域(430)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 两个 刻蚀 步骤 p1 p3 用于 制造 模块 方法 相应 | ||
【主权项】：
一种用于生产光伏模块的工艺，所述光伏模块包括薄膜结构中的多个太阳能电池，其中，在所述结构中相继地产生下述部分：背面电极(41)、光伏膜(43)以及另一个半导体膜(44)，所述光伏膜(43)通过对包括金属前驱以及Se和S之中的至少一种元素的组分进行沉积并且进行热处理将这些组分转化为半导体材料而获得，所述另一个半导体膜(44)用于与所述光伏膜(43)形成pn结，其特征在于，所述金属前驱在所述背面电极(41)上形成连续的膜(420)，而所述至少一种元素形成具有至少一个间断点(422)的膜(421)，使得在所述热处理结束后能够于所述间断点处在金属前驱膜(420)中保留金属状态的区域(430)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
