[发明专利]用于保护氮化镓场效应晶体管的栅极的驱动器电路的系统和设备

摘要

一种半桥电源电路(300)，其包括第一氮化镓场效应晶体管(GaN FET)(320)；第一驱动器(360)，其耦合到第一GaN FET的栅极；电容器的阳极，其耦合到驱动器(350)的输出端以及第一GaN FET的源极；二极管(370)，其具有耦合到电容器阴极的阴极；以及自举电容器箝(BCC)控制器，该BCC控制器包含场效应晶体管(FET)(380)，其耦合到二极管的阳极，以及比较器(383)，其耦合到FET的栅极，该比较器经配置以接收以下项作为输入a)表示施加到FET的输入电压(VDRV)的信号；b)地(GND)；c)表示电容器的阳极处的电压(BOOT)的启动信号；以及d)表示第一GaN FET的源极处的电压(SW)的信号。

主权项

一种电压箝位电路，其包括：第一氮化镓场效应晶体管即第一GaN FET，其具有栅极、源极和漏极；第一驱动器，其具有耦合到所述第一GaN FET的所述栅极的输出端；电容器，其具有阳极和阴极，该阳极耦合到所述第一GaN FET的所述源极；二极管，其具有阳极和阴极，该阴极耦合到所述电容器的所述阴极；以及自举电容器箝控制器即BCC控制器，其包含：场效应晶体管即FET，其具有栅极、源极和漏极，该漏极耦合到所述二极管的所述阳极；以及比较器电路，其具有：耦合到所述FET的所述栅极的输出端；至表示施加到所述FET的所述源极的参考电压VDRV的信号的第一连接；至地电压即GND电压的第二连接；至表示所述电容器的所述阳极处的电压Boot的启动信号的第三连接；以及至表示所述第一GaN FET的所述源极处的电压的信号的第四连接，所述比较器电路产生指示所述VDRV电压与地GND之间的差值与所述Boot电压与所述GaN FET的所述源极处的电压的差值的比较的输出信号。