[发明专利]电子器件

摘要

本申请涉及一种电子器件，其含有阳极，阴极，在阳极和阴极之间的至少一个发光层，至少一个包含单三芳基胺作为主体材料的p掺杂层A，和至少一个包含单三芳基胺的层B。本发明还涉及一种p掺杂混合物，其包含式(II)、(III)或(IV)的单三芳基胺作为主体材料和电子受体化合物作为掺杂剂，还涉及该混合物在电子器件中的用途。

主权项

一种电子器件，其包含：‑阳极，‑阴极，‑至少一个设置在阳极和阴极之间的发光层，‑至少一个包含单三芳基胺作为主体的p掺杂层A，和‑至少一个包含单三芳基胺的层B，其中所述单三芳基胺符合式(III)和(IV)中的一个，并且所述单三芳基胺不包含另外的氨基基团：其中：Z在每次出现时相同或不同地是N或CR1，其中如果键合取代基，则Z等于C；Ar2是具有5至20个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其可被一个或多个基团R1取代；Ar3在每次出现时相同或不同地是具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其可被一个或多个基团R1取代；R1在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，CHO，C(＝O)R2，P(＝O)(R2)2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，CR2＝CR2R2，CN，NO2，Si(R2)3，OSO2R2，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有2至40个C原子的直链烯基或炔基基团或者具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、P(＝O)(R2)、SO、SO2、O或S代替，和其中一个或多个H原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其在每种情况下可由一个或多个基团R2取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，其可由一个或多个基团R2取代，或这些体系的组合；两个或更多个相邻取代基R1此处还可彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系；R2在每次出现时相同或不同地是H，D，CN或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或杂芳族的烃基团，其中，H原子还可被D或F代替；两个或更多个相邻的取代基R2此处还可彼此形成单环或多环的脂族或芳族环系；和n是0或1。