[发明专利]具有掺杂电极的压力传感器有效
| 申请号： | 201380014227.5 | 申请日： | 2013-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN104541141B | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | G·奥布赖恩;A·格雷厄姆 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司;G·奥布赖恩;A·格雷厄姆 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 王琼 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种传感器装置包括体硅层；第一掺杂物类型的所述体硅层的第一掺杂区；第二掺杂物类型的所述体硅层的第二掺杂区，其中所述第一掺杂物类型是不同于所述第二掺杂物类型的掺杂物类型，所述第二掺杂区位于所述体硅层的上表面，并且具有由所述第一掺杂区界定的第一掺杂部分；在所述第二掺杂区正上方的第一腔部分；和在外延层中形成的上电极，所述上电极处于所述第一腔部分正上方。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 电极 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种传感器装置，包括：体硅层；第一掺杂物类型的所述体硅层的第一掺杂区；第二掺杂物类型的所述体硅层的第二掺杂区，其中，所述第一掺杂物类型是不同于所述第二掺杂物类型的掺杂物类型，所述第二掺杂区位于所述体硅层的上表面，并且具有由所述第一掺杂区界定的第一掺杂部分；在所述第二掺杂区的全部的上方的第一腔部分；和在沉积覆盖层中形成的上电极，所述上电极处于所述第一腔部分上方；第一沟槽，其只形成在所述体硅层中，并且使得所述第二掺杂区的第一部分与所述第一掺杂区的第一部分分开，以及第二沟槽，其只形成在所述体硅层中，并且使得所述第二掺杂区的第二部分与所述第一掺杂区的第二部分分开。
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