[发明专利]光电子器件

摘要

本发明一般涉及光电子器件和这种器件的制造方法，具体而言，涉及包括阳极层(21)、设置在阳极层之上的半导体层(25)和设置在半导体层之上的阴极层(26)的光电子器件，阳极层包含连接在一起并且通过其间的间隙(211)相互分开的多个导电轨迹(212)，该器件还包含设置在阳极层与半导体层之间并且延伸跨过所述间隙的第一空穴注入层(23)和一个或更多个其它的空穴注入层(24)，其中，第一空穴注入层具有比一个或更多个其它的空穴注入层的传导率大的传导率。

主权项

一种光电子器件，包括阳极层、设置在阳极层之上的半导体层和设置在半导体层之上的阴极层，阳极层包含连接在一起并且通过其间的间隙相互分开的多个导电轨迹，所述器件还包括设置在阳极层与半导体层之间并且延伸跨过所述间隙的第一空穴注入层和一个或更多个其它的空穴注入层，其中，第一空穴注入层被设置在阳极层与一个或更多个其它的空穴注入层之间，第一空穴注入层具有大于1S/cm的传导率，并且第一空穴注入层具有比一个或更多个其它的空穴注入层的传导率大的传导率。