[发明专利]透明导电性层叠体和电子设备或模块有效
| 申请号： | 201380014537.7 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104185877B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 原务;铃木悠太;永元公市 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B7/02;G02B1/11;G06F3/041 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 高旭轶,孟慧岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为透明导电性层叠体、以及使用了该透明导电性层叠体的电子设备或模块，所述透明导电性层叠体为在基材的至少一个面上，直接或隔着1层以上的层，从基材侧起依次层叠低折射层、中间折射层和透明导电层而成的透明导电性层叠体，其特征在于，低折射层的折射率为1.40～1.50、中间折射层的折射率为1.50～1.80、且中间折射层的膜密度为2.5～4.5g/cm3。根据本发明，透明导电性层叠体提供耐湿热性和光学特性优异的透明导电性层叠体、和电子设备或模块。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 层叠 电子设备 模块 | ||
【主权项】：
透明导电性层叠体，其为在基材的至少一个面上，直接或隔着1层以上的层，从基材侧起依次层叠低折射层、中间折射层和透明导电层而成的透明导电性层叠体，其特征在于，所述中间折射层和低折射层是通过对硅系高分子层实施离子注入处理而得到的层，低折射层的折射率为1.40～1.50， 中间折射层的折射率为1.50～1.80，且 中间折射层的膜密度为2.5～4.5g/cm3。
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