[发明专利]包含纳米‑轨道电极的非易失性存储单元有效
| 申请号： | 201380014814.4 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN104303308B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | J.K.卡伊;H.奇恩;G.玛塔米斯;V.R.普鲁亚思 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;B82Y10/00;B82Y40/00;H01L27/10;H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储装置包括多个非易失性存储单元(1)。每一个非易失性存储单元包括第一电极(101)、二极管控制元件(110)、设置为与二极管控制元件串联的存储元件(118)、第二电极(100)和位于二极管(110)和存储元件(118)之间的宽度为15nm或更小的纳米‑轨道电极(205，202)。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 纳米 轨道 电极 非易失性 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置，包括多个非易失性存储单元，其中该非易失性存储单元的每一个包括：第一电极；二极管控制元件；柱状存储元件，设置为与该二极管控制元件串联；第二电极；纳米‑轨道电极，宽度为15nm或更小；以及绝缘材料，设置为邻近该纳米‑轨道电极在该存储元件的下表面和该二极管的上表面之间的第一侧和第二侧；其中，该第一电极和该第二电极包括导体轨道；每个柱状存储单元具有从上面观察的矩形截面；该绝缘材料设置为邻近该存储单元的相对的第一侧和第二侧，并且在相邻的第一电极导体轨道之间延伸；并且该绝缘材料还设置为邻近该存储单元的相对的第三侧和第四侧，并且在相邻的第二电极导体轨道之间延伸。
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