[发明专利]包括细长体导电元件阵列的微米级电容器和纳米级电容器在审
| 申请号： | 201380015159.4 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104205265A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 哈里什·马诺哈拉;琳达·Y·德尔卡斯蒂罗;默罕默德·莫扎拉蒂 | 申请（专利权）人： | 加州理工学院 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本发明的实施方案的系统和方法实现了微米级电容器和纳米级电容器，其包括符合细长体阵列形状的导电元件。在一个实施方案中，包括符合细长体阵列形状的导电元件的电容器，其包括：符合细长体阵列形状的第一导电元件；符合细长体阵列形状的第二导电元件；以及布置在第一导电元件和第二导电元件之间且由此物理地分隔它们的电介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 细长 导电 元件 阵列 微米 电容器 纳米 | ||
【主权项】：
一种包括符合细长体阵列形状的导电元件的电容器，包括:第一导电元件，其符合细长体阵列形状；第二导电元件，其符合细长体阵列形状；以及电介质材料，其布置在所述第一导电元件和所述第二导电元件之间，且由此在物理分隔所述第一导电元件和所述第二导电元件。
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