[发明专利]光电子半导体芯片和具有这样的半导体芯片的前照灯

摘要

在至少一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生具有小于500nm的主波长的初级辐射的有源层(20)。半导体芯片(1)包含用于产生第一次级辐射的第一转换元件(31)和用于产生第二次级辐射的第二转换元件(32)。半导体层序列(2)被划分为能够彼此不相关地电操控的并且在横向上相邻地设置的区段(21，22)。转换元件(31，32)安置在区段(21，22)的辐射主侧(25)上。第一次级辐射是彩色光并且第二次级辐射是白光。

主权项

1.一种光电子半导体芯片(1)，具有：‑载体(6)；‑半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生具有小于500nm的主波长的初级辐射的至少一个有源层(20)；‑至少一个第一转换元件(31)，所述第一转换元件用于通过所述初级辐射的波长转换产生第一次级辐射；‑至少一个第二转换元件(32)，所述第二转换元件用于通过所述初级辐射的波长转换产生第二次级辐射，其中‑所述半导体层序列(2)被划分为能够彼此不相关地电操控的并且在横向上相邻地设置的区段(21，22)，使得在相邻的区段之间完全地或仅部分地去除所述半导体层序列(2)，‑所述第一转换元件(31)和所述第二转换元件(32)安置在所述区段(21，22)的辐射主侧(25)上，‑所述第一次级辐射是彩色光并且所述第二次级辐射是白光，‑所述区段(21，22)之间的平均间距(D)与所述第一转换元件(31)和所述第二转换元件(32)之间的平均间距(C)不同，‑至少在所述第一转换元件(31)和所述第二转换元件(32)之间存在光学的屏蔽部(4)，所述屏蔽部对于所述初级辐射以及对于所述第一次级辐射和所述第二次级辐射是辐射不可透过的，‑所述屏蔽部(4)沿着远离所述半导体层序列(20)的方向伸展直至所述第一转换元件(31)和所述第二转换元件(32)的背离所述载体(6)的侧面，‑所述屏蔽部(4)填满所述区段(21，22)之间的以及所述第一转换元件(31)和所述第二转换元件(32)之间的空隙，并且所述屏蔽部(4)安置在所述第一转换元件(31)和所述第二转换元件(32)的和所述区段(21，22)的侧面上，‑所述屏蔽部(4)在背离所述载体(6)的一侧上凹形地成形，其中凹形的形状具有突出的部段，所述突出的部段朝向所述半导体层序列的相应的所述区段，‑所述屏蔽部(4)通过具有基体材料和嵌入在其中的颗粒的浇注件形成。