[发明专利]背接触太阳能光伏模块用半导体晶片的电池和模块加工有效
申请号: | 201380015256.3 | 申请日: | 2013-03-18 |
公开(公告)号: | CN104272475B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 理查德·汉密尔顿·休厄尔;安德烈亚斯·本特森 | 申请(专利权)人: | 瑞科斯太阳能源私人有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/048;H01L31/05 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 吴润芝,郭国清 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及高效硅基背接触背结太阳能板的成本有效的制造方法和在每一电池的背侧具有多个交替的矩形发射极区和基极区的太阳能板,其各自具有在相应发射极区和基极区上方并且平行于所述相应发射极区和基极区的矩形金属指形导电体,在晶片和指形导体中间的第一绝缘层,和在所述指形导体和电池互连中间的第二绝缘层。 | ||
搜索关键词: | 接触 太阳能 模块 半导体 晶片 电池 加工 | ||
【主权项】:
一种制造背接触背结硅太阳能电池模块的方法,其中所述方法依次包括以下工艺步骤:A)如下形成多个半成品太阳能电池:依次实施所选数量的如下晶片工艺步骤,其至少包括步骤ii),然后进入以下步骤B):i)采用具有层状分层掺杂结构的晶体硅晶片,所述层状分层掺杂结构至少含有背侧发射极层和在所述发射极层下方的基极层,和其中所述晶片在背侧具有多个交替的矩形发射极区和基极区,和ii)形成织纹和将至少一个表面钝化膜沉积于所述晶片的前侧,iii)通过沉积覆盖所述晶片的整个背侧的连续无定形硅层而形成背侧表面钝化层,和iv)在所述背侧表面钝化层上形成第一绝缘层,其中线性孔限定电接触进接区域,所述线性孔是平行的和位于所述多个交替的矩形发射极区和基极区中的每个的几乎正上方,v)形成矩形金属指形导电体,其与所述多个交替的矩形发射极区和基极区中的每个平行并且在其几乎正上方,vi)在所述指形导体上形成第二绝缘层,在其中与下面的指形导体电接触的位置设计有一组进接孔,和vii)在与处于所述进接孔下方的所述指形导体电接触的所述第二绝缘层中的每个进接孔中形成通路接触,B)将所述多个半成品太阳能电池层压到模块前基底上,使其前侧以矩形的类似镶嵌的图案面对所述模块前基底,和然后对所述层压的多个半成品太阳能电池依次实施步骤A)的最终的其余晶片工艺步骤,直到实施包括步骤vii)的所有晶片工艺步骤为止,和然后C)通过在第二图案化绝缘层上形成一组带接触以将所述模块的所述半成品太阳能电池互连而完成所述工艺以形成所述半成品太阳能电池的功能性太阳能电池,和D)将背侧覆盖基底层压到包含所述多个太阳能电池的所述模块前基底的背侧,其中,所述矩形的类似镶嵌的图案是指预期数目,即多个即M个方形、准方形、矩形或准矩形半导体晶片以界定k行和l列太阳能电池的规则图案排列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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