[发明专利]在存在势垒的情况下具有高交叉平面电导率的热电材料在审
| 申请号： | 201380015322.7 | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104350622A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | P.麦肯 | 申请（专利权）人： | 俄克拉何马大学董事会 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑冀之;陈岚 |
| 地址： | 美国俄克*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了在存在增强势垒的一个或更多塞贝克系数的情况下具有高交叉平面电导率的热电材料及其制造方法的实施例。在一个实施例中，热电材料包括第一基体材料层、屏障层和第二基体材料层。所述屏障层是包括多个超晶格层的短周期超晶格结构。每个超晶格层具有高能量子带和低能量子带。对于每个超晶格层，所述超晶格层的高能量子带的能级与相邻超晶格层的低能量子带的能级共振，和/或所述超晶格层的低能量子带的能级与相邻超晶格层的高能量子带的能级共振。结果，所述热电材料的交叉平面电导率得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 存在 情况 具有 交叉 平面 电导率 热电 材料 | ||
【主权项】：
一种热电材料，包括：第一基体材料层；位于所述第一基体材料层上的屏障层，所述屏障层具有包括多个超晶格层的短周期超晶格结构，其中所述多个超晶格层的每个超晶格层具有从由下述构成的群组中选择的至少一个特征：在所述多个超晶格层中与相邻超晶格层的低能量子带共振的高能量子带和在所述多个超晶格层中与相邻超晶格层的高能量子带共振的低能量子带；以及位于所述屏障层上的第二基体材料层。
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